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74HC299D产品应用图解:

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74HC299D - 8位通用移位寄存器;3态
74HC299D是NXP恩智浦公司的一款移位寄存器产品,74HC299D是8位通用移位寄存器;3态,本站介绍了74HC299D的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74HC299D相关的NXP元器件型号供参考。
74HC299D - 8位通用移位寄存器;3态 - 移位寄存器 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
74HC299;74HCT299是高速硅栅CMOS器件,与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准no. 7A。
74F299包含八个边沿触发D型触发器和执行同步右移、左移、并行负载和保持操作所必需的级间逻辑。操作由模式选择输入S0和S1确定。
针脚I/O0至I/O7是触发器3态缓冲器输出,这允许它们在并行负载模式中用作数据输入。串行输出Q0和Q7用于在较长字的串行位移中实现扩展。
MR异步主复位输入上的低电平信号覆盖Sn和时钟CP输入并复位触发器。所有其他状态变化由时钟脉冲的上升沿启动。只要遵照建议的设置和保持时间,时钟处于任意状态时输入都可能发生变化。
3态输出使能输入OE1或OE2上的高电平信号会禁用3态缓冲器且I/On输会被置于高阻抗关断状态。在这种情况下,准备并行负载操作时移位、保持、负载和复位操作仍会发生。3态缓冲器还可由S0和S1上的高电平信号禁用。
产品特性和优势
- 多路复用输入/输出提供更高的位密度
- 四种工作模式:
- 左移
- 右移
- 保持(存储)
- 加载数据
- 工作时采用输出使能或处于高阻抗关断状态(Z)
- 3态输出直接驱动总线线路
- 可级联n位字长
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114E超过2000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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