74HC299；74HCT299是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准no. 7A。

74F299包含八个边沿触发D型触发器和执行同步右移、左移、并行负载和保持操作所必需的级间逻辑。操作由模式选择输入S0和S1确定。

针脚I/O0至I/O7是触发器3态缓冲器输出，这允许它们在并行负载模式中用作数据输入。串行输出Q0和Q7用于在较长字的串行位移中实现扩展。

MR异步主复位输入上的低电平信号覆盖Sn和时钟CP输入并复位触发器。所有其他状态变化由时钟脉冲的上升沿启动。只要遵照建议的设置和保持时间，时钟处于任意状态时输入都可能发生变化。

3态输出使能输入OE1或OE2上的高电平信号会禁用3态缓冲器且I/On输会被置于高阻抗关断状态。在这种情况下，准备并行负载操作时移位、保持、负载和复位操作仍会发生。3态缓冲器还可由S0和S1上的高电平信号禁用。

• 多路复用输入/输出提供更高的位密度
• 四种工作模式：
  • 左移
  • 右移
  • 保持（存储）
  • 加载数据
• 工作时采用输出使能或处于高阻抗关断状态(Z)
• 3态输出直接驱动总线线路
• 可级联n位字长
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK9Y113-100E - N沟道100 V，113 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• NVT2002DP - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
• BC847AW - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• PESD24VU1UT - 采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
• PTVS14VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• PZU4.7DB2 - 双倍齐纳二极管
• BZB84-C11 - 双倍齐纳二极管
• BGU7003W - 宽带硅锗低噪声放大器MMIC
• 74LV165A - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• PCKV857DGG - 70-190 MHz差分1:10时钟驱动器