74AXP2G07是双路非反相缓冲器，带开漏输出。

输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 0.7 pF（典型值）
• 低动态功耗；CPD = 1.0 pF，VCC = 1.2 V（典型值）时
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围：?40 °C至+85 °C

• NX3008PBKMB - 30 V，单P沟道Trench MOSFET
• MF0ICU2001DUD - MIFARE Ultralight C - Contactless ticket IC
• BSP52 - NPN达林顿晶体管
• 74AUP1G97GX - Low-power configurable multiple function gate
• BZX884-B36 - 稳压器二极管
• 74ALVT16244 - 2.5 V / 3.3 V 16位缓冲器/驱动器（3态）
• PCA9530DP - 2位I2C总线LED调光器
• BLF2425M7L250P - 功率LDMOS晶体管
• BUK9214-30A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BLL8H1214L(S)-250 - LDMOS L-band radar power transistor