
74AXP1G32GN技术文档下载:
74AXP1G32GN产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC9S12C96MPBER - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- OM7617/BGM1014 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板
- PHP18NQ10T,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 74LVC541APW/AUJ - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- PK40N512VMD100 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PDTA123EK,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管



74AXP1G32GN - 低功耗2输入或门
74AXP1G32GN是NXP恩智浦公司的一款或门产品,74AXP1G32GN是低功耗2输入或门,本站介绍了74AXP1G32GN的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AXP1G32GN相关的NXP元器件型号供参考。
74AXP1G32GN - 低功耗2输入或门 - 或门 - 门 - 恩智浦
产品描述
74AXP1G32是单路2输入或门。
所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。
该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。
产品特性和优势
- 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
- 低输入电容;CI = 0.5 pF(典型值)
- 低输出电容;CO = 1.0 pF(典型值)
- 低动态功耗;CPD = 2.4 pF,VCC = 1.2 V(典型值)时
- 低静态功耗;ICC = 0.6 μA(85 °C最大 )
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-12A.01(1.1 V至1.3 V)
- JESD8-11A.01(1.4 V至1.6 V)
- JESD8-7A(1.65 V至1.95 V)
- JESD8-5A.01(2.3 V至2.7 V)
- ESD保护:
- HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78 II类标准
- 输入可接受高达2.75 V的电压
- 低噪声过冲和欠冲,小于VCC的10%
- IOFF电路提供局部掉电模式操作
- 多种封装选择
- 额定温度范围:?40 °C至+85 °C
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