74AXP1G10是单路3输入与非门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保0.7 V至2.75 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 1.0 pF（典型值）
• 低动态功耗；CPD = 2.5 pF，VCC = 1.2 V（典型值）时
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• BAS101; BAS101S - 高压开关二极管
• 74HCT1G14GW - 反相施密特触发器
• 74LVC1G16GF - Single buffer
• PMEG2010AEH - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• HEF4557BT - 1至64位可变长度移位寄存器
• NX7002BKM - 60 V，N沟道Trench MOSFET
• BUK963R1-40E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• SC16C850IBS - 2.5 V至3.3 V的UART，5 Mbit/s（最快），带有128字节FIFO、红外(IrDA)以及16模式或68模式并行总线接口
• BUK9E06-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PTN5100DBS - USB Type-C PD PHY and protocol IC, SPI for dongles