
74AXP1G09GS技术文档下载:
74AXP1G09GS产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- MIMXRT685SFFOBR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- A2T23H300-24SR6 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- CBTS3384DB,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- S9S12DT12F1MPVE - 嵌入式 - 微控制器
- BSN304,126 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 74HC00DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- FS32K144HRT0MLLR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PCK2002MPW,112 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟缓冲器,驱动器
- SP5742PFK1AMLQ9R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TJA1044GT/3Z - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- MRFE6S9200HR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- PMN38EN,135 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- BFG198,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- LPC1313FHN33,551 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVC245AD,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MIMXRT1166XVM5A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HC40105D,653 - 集成电路(IC) > 逻辑 > FIFO 存储器
- BUK9Y7R8-80E,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- PTVS20VS1UR,115 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- CBTD16213DGG,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器



74AXP1G09GS - 低功耗2输入与门,带开漏输出
74AXP1G09GS是NXP恩智浦公司的一款与门产品,74AXP1G09GS是低功耗2输入与门,带开漏输出,本站介绍了74AXP1G09GS的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AXP1G09GS相关的NXP元器件型号供参考。
74AXP1G09GS - 低功耗2输入与门,带开漏输出 - 与门 - 门 - 恩智浦
产品描述
74AXP1G09是带开漏输出的单路2输入与门。该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出,以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。
该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。
产品特性和优势
- 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
- 低输入电容;CI = 0.5 pF(典型值)
- 低输出电容;CO = 0.7 pF(典型值)
- 低动态功耗;CPD = 1.0 pF,VCC = 1.2 V(典型值)时
- 低静态功耗;ICC = 0.6 μA(85 °C最大 )
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-12A.01(1.1 V至1.3 V)
- JESD8-11A.01(1.4 V至1.6 V)
- JESD8-7A(1.65 V至1.95 V)
- JESD8-5A.01(2.3 V至2.7 V)
- ESD保护:
- HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78 II类标准
- 输入可接受高达2.75 V的电压
- 低噪声过冲和欠冲,小于VCC的10 %
- IOFF电路提供局部掉电模式操作
- 多种封装选择
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C
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