74AXP1G06是带开漏输出的单路逆变器。

输入的施密特触发器动作使电路容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保0.7 V至2.75 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成潜在损坏。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 0.7 pF（典型值）
• 低动态功耗；VCC = 1.2 V时CPD = 1.0 pF（典型值）
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（最大85 °C）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入可接受最高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C

• NZX2V4B - 单倍齐纳二极管
• 74LVC1G19GV - 2选1解码器/解复用器
• DFN1010_SERIES - 12 V - 80 V，P和N沟道Trench MOSFET，采用单、双和互补配置
• NZX3V6A - 单倍齐纳二极管
• PCF2119DU - LCD控制器/驱动器
• 74HC4051D - 8通道模拟多路复用器/解复用器
• BGU8H1UK - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
• PTN36001HX - SuperSpeed USB 3.0 redriver
• P5CD040UA - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• PMK30EP - P沟道TrenchMOS极低电平FET