74AUP3G0434是双路反相器和单路缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN7R0-100ES - N沟道100 V 6.8 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。
• 74ALVT16821DGG - 20位总线接口D型触发器；正沿触发器（三态）
• PBSS303PX - 30 V、5.1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVC1G27 - 单路3输入或非门
• PMEG10020ELR - 100 V, 2 A low leakage current Schottky barrier rectifier
• PMP4201V - NPN/NPN匹配双晶体管
• BLL8H1214L-500 - LDMOS L-band radar power transistor
• BFS20W - NPN中频晶体管
• PESD5V0S1BLD - 低电容双向ESD保护二极管
• PCA9512AD - 电平切换可热插拔的I2C总线和SMBus总线缓冲器