74AUP2G34提供两个低功耗、低电压的缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• CBTL02043BBQ - 支持PCI Express Gen3的3.3 V、2差分通道、2 : 1多路复用器/解复用器开关
• 74AUP1T97GM - 低功耗可配置门，带电压电平转换器
• BB175 - VHF变容二极管
• IP4787CZ32 - DVI和HDMI接口的ESD、DDC/CEC缓冲、热插拔处理和反向驱动保护
• BZX84J-C11 - 单倍齐纳二极管
• PZU24B3A - 单倍齐纳二极管
• PMEG2015EH; PMEG2015EJ - 20 V、1.5 A极低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• MMBZ15VDL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管
• PTVS17VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• PSMN6R3-120ES - N沟道120 V 6.7 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装