74AUP2G34提供两个低功耗、低电压的缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74HCT2G02GD - 双路2输入或非门
• 74HC(T)3G07 - 三路缓冲器，带开漏输出
• PMC85XP - 30 V P沟道MOSFET，具有预偏置NPN晶体管
• PMEG6010AESB - 60 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• BC860CW - PNP通用晶体管
• BZX84-B43 - 稳压器二极管
• BZB84-C13 - 双倍齐纳二极管
• NZX33A - 单倍齐纳二极管
• BUK9K52-60E - 双N沟道60 V，55 mΩ逻辑电平MOSFET
• BUK9Y65-100E - N-channel 100 V, 65 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56