74AUP2G3407是带开漏输出的单路缓冲器。该器件具有两个输入针脚(nA)、一个输出针脚(1Y)和一个开漏输出针脚(2Y)。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6?V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000?V
  • MM JESD22-A115-A超过200?V
  • CDM JESD22-C101E超过1000?V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100?mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10?%
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40?°C到+85?°C和-40?°C到+125?°C

• BUK763R1-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74ABT125BQ - 四路缓冲器；3态
• BF1118WR - 硅RF开关
• 74LV165D - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• PMEG3015EH; PMEG3015EJ - 30 V、1.5 A超低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• BLF10H6600P - 功率LDMOS晶体管
• 74HC75 - 四路双稳态透明锁存器
• NX3DV221 - 带使能端的高速USB2.0开关
• NT2H0301F0DTL - NFC Forum Type 2 Tag compliant IC with 144 bytes user memory and field detection
• PEMH14; PUMH14 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 开路