74AUP2G240提供带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(nOE)控制。针脚nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入nOE为高电平时，输入处于禁用状态。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪音过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• BLF6G38LS-100 - WiMAX功率LDMOS晶体管
• PMEG2002AESF - 20 V、0.2 A低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• PEMH19 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 开路
• NUP1301 - 超低电容ESD保护阵列
• BF824W - PNP中频晶体管
• BGA3018 - 1 GHz 18 dB增益宽带放大器MMIC
• SAF3607EL - Digital radio and processing system-on-chip
• BUK7Y12-100E - N沟道100 V，12 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• BUK9K18-40E - 双N沟道40 V，19.5 m?逻辑电平MOSFET
• SAF3601EL - Digital radio and processing system-on-chip