74AUP2G240提供带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(nOE)控制。针脚nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入nOE为高电平时，输入处于禁用状态。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪音过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PCA9536 - 4位I2C总线和SMBus I/O端口
• PSMN4R3-80ES - N沟道80 V，4.3 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• PBHV9115Z - 150 V，1 A PNP高压低VCEsat (BISS)晶体管
• BUK9237-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PMEG2002ESF - 20 V、0.2 A低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• PMEG2010EJ - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• PMEG2010BEV - 1 A、极低VF MEGA肖特基势垒整流器，采用超小型SOT666和极小型SOD323 (SC-76)两种封装
• 74LVC16373ADGG - 16位D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• BCP51; BCX51; BC51PA - 45 V，1 A PNP中等功率晶体管
• 74HC1G14GV - 反相施密特触发器