74AUP2G17提供两个施密特触发缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PTVS7V5P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• HT1MOA4S30 - NXP芯片
• BUK9620-100B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PMEG10030ELP - 100 V, 3 A low leakage current Schottky barrier rectifier
• PUSBM15VX4-TL - 高速USB OTG ESD保护二极管阵列
• NZX4V7D - 单倍齐纳二极管
• PMN50UPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
• 74HC166DB - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• 74AUP1G34GX - 低功耗缓冲器
• PBSS4032NT - 30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor