
74AUP2G16GN技术文档下载:
74AUP2G16GN产品应用图解:
NXP恩智浦芯片:
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- TDA1572T/V3,115 - 射频和无线 > 射频接收器
- MRFE6VP8600HR6 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- T1042NXE7WQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- S32R274RRUEVB - 评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP
- BF556B,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- OM7604/BGA2709 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板



74AUP2G16GN - Low-power dual buffer
74AUP2G16GN是NXP恩智浦公司的一款缓冲器/驱动器产品,74AUP2G16GN是Low-power dual buffer,本站介绍了74AUP2G16GN的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AUP2G16GN相关的NXP元器件型号供参考。
74AUP2G16GN - Low-power dual buffer - 缓冲器/驱动器 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
The 74AUP2G16 provides two low-power, low-voltage buffers.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise andfall times across the entire VCC range from 0.8 V to 3.6 V.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entireVCC range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial power-down applications using IOFF.The IOFF circuitry disables the output, preventing the damaging backflowcurrent through the device when it is powered down.
产品特性和优势
- Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
- High noise immunity
- Complies with JEDEC standards:
- JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
- JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
- JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
- JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
- JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
- ESD protection:
- HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V
- MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
- CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
- Low static power consumption; ICC = 0.9 μA (maximum)
- Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
- Inputs accept voltages up to 3.6 V
- Low noise overshoot and undershoot < 10 % of VCC
- IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation
- Multiple package options
- Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C
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