74AUP2G125提供带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(nOE)控制。针脚nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入nOE为高电平时，输入处于禁用状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保整个0.8 V至3.6 V CC范围内极低的静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• IP3253/54CZ8/CZ12/CZ16 - 集成式4、6和8通道无源EMI滤波器网络，高电平ESD保护符合IEC 61000-4-2第四级标准
• PBSS4240Y - 40V低VCEsat NPN晶体管
• PEMD16 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 22 k Ohm, R2 = 47 k Ohm
• PBHV9050T - 500 V，150 mA PNP高压低VCEsat (BISS)晶体管
• PBSS5320D - 20 V PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PMXB65ENE - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• 74HC(T)161 - 可预置同步4位二进制计数器；异步复位
• NT2H0301F0DTL - NFC Forum Type 2 Tag compliant IC with 144 bytes user memory and field detection
• PMEG4020EPA - 2 A低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74HC164BQ - 8位串行输入并行输出移位寄存器