74AUP1Z04结合了74AUP1GU04和74AUP1G04的功能以及使能电路和内部偏置电阻，提供最适合晶体振荡器应用的器件。

不使用时，可将EN输入驱动为高电平，从而将该器件置于低功耗禁用模式，其中X1通过RPU拉至高电平、X2设置为低电平、Y设置为高电平。EN输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC 范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全针对在输出Y处使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74AUP1Z04因集成了这两个器件而在各种频率和温度范围内形成尺寸紧凑、功耗低和操作稳定的优势。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路在输出Y处提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BCM857BV - PNP/PNP匹配双晶体管
• 74LVC1G175GF - 带复位功能的单频D型触发器；正沿触发器
• 74HCT4094D - 8级移位和存储总线寄存器
• BUK9Y15-100E - N沟道100 V，15 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74LVC1G27GV - 单路3输入或非门
• 74HCT273PW - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• PDTA144TU - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 开路
• SE97BTP - DDR存储器模块温度传感器，集成SPD
• 74AHCT138PW - 3至8线路解码器/解复用器；反相
• 74AHC(T)541 - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态