74AUP1Z04结合了74AUP1GU04和74AUP1G04的功能以及使能电路和内部偏置电阻，提供最适合晶体振荡器应用的器件。

不使用时，可将EN输入驱动为高电平，从而将该器件置于低功耗禁用模式，其中X1通过RPU拉至高电平、X2设置为低电平、Y设置为高电平。EN输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC 范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全针对在输出Y处使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74AUP1Z04因集成了这两个器件而在各种频率和温度范围内形成尺寸紧凑、功耗低和操作稳定的优势。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路在输出Y处提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• MF0ICU2101DUD - MIFARE Ultralight C - Contactless ticket IC
• 74HCT164DB - 8位串行输入并行输出移位寄存器
• BFU550A - NPN宽带硅RF晶体管
• BZX585-B9V1 - 稳压器二极管
• BLF884P - UHF功率LDMOS晶体管
• BUK9K5R6-30E - Dual N-channel 30 V, 5.8 m? logic level MOSFET
• BAS321 - 通用二极管
• PRF947 - NPN UHF宽频带晶体管
• NVT2008BQ - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
• PSMN7R8-100PSE - N沟道100 V 7.8 mΩ标准电平MOSFET，带改进的SOA，采用TO220封装