74AUP1T45是单位收发器，具有两个数据输入输出（A和B）、一个方向控制输入(DIR)以及能实现双向电平转换的双电源针脚（VCC(A)和VCC(B)）。VCC(A)和VCC(B)都可以是1.1 V至3.6 V之间的任何电压，因此该器件适用于任意低压节点（1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V）间的接合。针脚A和DIR以VCC(A)为基准，针脚B以VCC(B)为基准。DIR上的高电平允许从A传输到B，而DIR上的低电平则允许从B传输到A。

所有输入的施密特触发器动作使电路能容许整个VCC(A)和VCC(B)范围内较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保低静态和动态功耗且完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止断电时任何破坏性回流电流通过该器件。在挂起模式下，VCC(A)或VCC(B)接地时，A和B都处于高阻抗关断状态。

• 宽电源电压范围：
  • VCC(A)：1.1 V至3.6 V
  • VCC(B)：1.1 V至3.6 V
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 挂起模式
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZX84J-B43 - 单倍齐纳二极管
• BLF6G20LS-110 - 功率LDMOS晶体管
• BUK724R5-30C - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BLF988(S) - 功率LDMOS晶体管
• BZB784-C5V6 - 双倍稳压器二极管
• BZX84J-B13 - 单倍齐纳二极管
• BZX384-C8V2 - 稳压器二极管
• 74HC365DB - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态
• BC53-10PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• BZV55-B22 - 稳压器二极管