74AUP1G97提供多个可配置的函数。输出状态由3位输入的八个模式确定。用户可选择逻辑函数“多路复用”、“与”、“或”、“与非”、“或非”、反相器和缓冲器。所有输入可连接至VCC或GND。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

74AUP1G97具有施密特触发器输入，能够将缓慢变化的输入信号转变为清晰的无抖动输出信号。

该输入在不同点进行开关以实现正向和负向信号。正向电压VT+和负向电压VT-之间的差值被定义为输入迟滞电压VH。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• PMEG2010AET - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74HCT27PW - 三路3输入或非门
• BSR57 - N沟道FET
• 74AUP2G3407GM - 低功耗单路缓冲器；单路缓冲器，带开漏
• PSMN009-100P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• PESD5V0U2BM - 超低电容双向双ESD保护阵列
• SL2S1502FUD - ICODE ILT
• MMBZ33VCL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管
• 74LVC1G384GF - 双向开关
• BZT52H - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管