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74AUP1G86产品应用图解:





NXP恩智浦芯片:
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- MK81FN256VDC15 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PHD21N06LT,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
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- NVT2010PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 转换器,电平移位器
- PCA9535CD,112 - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
- PBHV8540T,215 - 未分类 > 未分类
- PCF2129T/2,518 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 实时时钟
- BZX585-B4V7,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- HEF4555BT,653 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- S32G234MABK0VUCR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- S32K341EHT0MPBST - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



74AUP1G86 - 低功耗2输入异或门
74AUP1G86是NXP恩智浦公司的一款异或门 (XOR)产品,74AUP1G86是低功耗2输入异或门,本站介绍了74AUP1G86的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AUP1G86相关的NXP元器件型号供参考。
74AUP1G86 - 低功耗2输入异或门 - 异或门 (XOR) - 门 - 恩智浦
产品描述
74AUP1G86提供单路2输入异或功能。
所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。
该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。
该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。
产品特性和优势
- 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-12(0.8 V至1.3 V)
- JESD8-11(0.9 V至1.65 V)
- JESD8-7(1.2 V至1.95 V)
- JESD8-5(1.8 V至2.7 V)
- JESD8-B(2.7 V至3.6 V)
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- 低静态功耗;ICC = 0.9 μA(最大)
- 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78 II类标准
- 输入可接受高达3.6 V的电压
- 低噪声过冲和欠冲,小于VCC的10 %
- IOFF电路提供局部掉电模式操作
- 多种封装选择
- 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C
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