74AUP1G58提供多个可配置的函数。输出状态由3位输入的八个模式确定。用户可选择逻辑函数“与”、“或”、“与非”、“或非”、“异或”、反相器和缓冲器。所有输入可连接至VCC或GND。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

74AUP1G58具有施密特触发器输入，能够将缓慢变化的输入信号转变为清晰的无抖动输出信号。

该输入在不同点进行开关以实现正向和负向信号。正向电压VT+和负向电压VT-之间的差值被定义为输入迟滞电压VH。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AXP2G17GM - Low-power dual Schmitt trigger
• BUK9K8R7-40E - 双N沟道40 V，9.4 m?逻辑电平MOSFET
• PEMH19; PUMH19 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 开路
• BLF6G10L-40BRN - 功率LDMOS晶体管
• 74LVT244ABQ - 3.3 V八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• BGA2815 - MMIC宽带放大器
• BLF7G20LS-250P - 功率LDMOS晶体管
• NZH5V1B - 单倍齐纳二极管
• PCA9509ADP - 电平变换I2C总线/SMBus转发器
• 1N4747A - 稳压器二极管