74AUP1G374提供具有三态输出的单路D类触发器。该触发器会存储它们各自的数据输入（D）状态，满足从低到高CP转换的建立和保持时间要求。引脚OE为低电平时，触发器的内容在（Q）输出处可用。引脚OE为高电平时，输出会进入高阻抗关断状态。输入引脚OE的操作不会影响触发器的状态。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LVCH16374ABX - 16位边沿触发D型触发器；5 V容压（三态）
• BCW60C - NPN通用晶体管
• PEMD24; PUMD24 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 100 kOhm
• BZX84J-C62 - 单倍齐纳二极管
• 74HC(T)368 - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• PDTC124XMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PMXB65ENE - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• MMBT2222A - NPN开关晶体管
• 74LVC1G97GN - 低功耗可配置多功能门
• BUK7635-100A - N沟道TrenchMOS标准电平FET