74AUP1G373提供带3态输出的单路D型透明锁存器。锁存使能(LE)输入为高电平时，Q输出跟随数据(D)输入。针脚LE为低电平时，锁存器存储针脚LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。针脚OE为低电平时，锁存器的内容可在输出处获取。针脚OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。输入针脚OE的操作不会影响锁存器的状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AHC1G86GV - 2输入异或门
• BC857AW - PNP通用晶体管
• BZT52H-C15 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BZX585-C9V1 - 稳压器二极管
• TEA1753T - 具有集成DCM/ QR PFC控制器的HV启动DCM/ QR返驰控制器
• 74AHCT125PW - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• BC53-10PA - 80 V，1 A PNP中等功率晶体管
• BLF7G20LS-250P - 功率LDMOS晶体管
• 74HC374PW - 八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• 74AXP1T57GD - Dual supply configurable multiple function gate