
74AUP1G373GM技术文档下载:
74AUP1G373GM产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC68HC908QY4VDTE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC33772BSP1AE - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电池管理
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74AUP1G373GM - 低压D型透明锁存器;3态
74AUP1G373GM是NXP恩智浦公司的一款锁存产品,74AUP1G373GM是低压D型透明锁存器;3态,本站介绍了74AUP1G373GM的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AUP1G373GM相关的NXP元器件型号供参考。
74AUP1G373GM - 低压D型透明锁存器;3态 - 锁存 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
74AUP1G373提供带3态输出的单路D型透明锁存器。锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。针脚LE为低电平时,锁存器存储针脚LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。针脚OE为低电平时,锁存器的内容可在输出处获取。针脚OE为高电平时,输出转为高阻抗关断状态。输入针脚OE的操作不会影响锁存器的状态。
所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。
该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。
该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。
产品特性和优势
- 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-12(0.8 V至1.3 V)
- JESD8-11(0.9 V至1.65 V)
- JESD8-7(1.2 V至1.95 V)
- JESD8-5(1.8 V至2.7 V)
- JESD8-B(2.7 V至3.6 V)
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM JESD22-C101-E超过1000 V
- 低静态功耗;ICC = 0.9 μA(最大)
- 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78 II类标准
- 输入可接受高达3.6 V的电压
- 低噪声过冲和欠冲,小于VCC的10 %
- IOFF电路提供局部掉电模式操作
- 多种封装选择
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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