74AUP1G32提供单路2输入或功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部关断模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PSMN4R3-30BL - N沟道30 V 4.1 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74LVT14D - 3.3 V十六进制反相器施密特触发器
• 74AUP1Z04GF - 低功耗晶体驱动器，带使能和内部晶体管
• SA612AD - 双平衡混频器和振荡器
• 1N4746A - 稳压器二极管
• 74AHCT574D - 八频D型触发器；正边沿触发器；三态
• NX3P2902BUK - 逻辑控制的高侧电源开关
• 74CBTLV3126BQ - 4位总线开关
• P5CD080X0 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• BUK7226-75A - N沟道TrenchMOS标准电平FET