74AUP1G3208提供布尔函数：Y = (A + B) x C。用户可以选择逻辑功能OR、AND和OR-AND。所有输入都可连接到VCC或GND。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10%
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HC4049D - 十六进制反相高电平至低电平转换器
• 74LVC1GU04GM - 非缓冲反相器
• 74ABT20 - 双路4输入与非门
• BC69PAS - 20 V, 2 A PNP medium power transistors
• NCX2200GS - 低压比较器
• MF1S7001XDUF - MIFARE Classic 4K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• PCA2129T - 集成了石英晶体的汽车级精准RTC
• PBSS5320T - 20 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PDTC144WU - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 22 kOhm
• 74LVC1G11GN - 单路3输入与门