74AUP1G240提供带3态输出的单路反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(OE)控制。针脚OE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入OE为高电平时，输入处于禁用状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• BUK7575-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PBHV8540T - 500 V，0.5 A NPN高压低VCEsat (BISS)晶体管
• PCAL9555A - 带有灵活I/O、中断和弱上拉的低电压16位I2C总线GPIO
• 74HC30D - 8输入与非门
• 74HCT597D - 8位移位寄存器，带输出触发器
• PDTD114EU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• BUK7511-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BFU730F - NPN宽带硅锗RF晶体管
• PCA9574PW - 带有复位和中断的8位I2C总线和SMBus、电平变换、低电压GPIO
• TEF6616T - 低中频、免校准模拟汽车无线电调谐器IC