74AUP1G158是单路2输入多路复用器，其在公共数据选择输入(S)的控制下从两个数据输入（I0和I1）选择数据。一般数据选择输入的状态可确定数据来自哪个特定的寄存器。输出(Y)以补充（反相）形式呈现所选数据。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LVT14D - 3.3 V十六进制反相器施密特触发器
• BUK7535-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74HCT245BQ - 八进制总线收发器；3态
• PMBTA45 - 500 V，150 mA NPN高压低VCEsat (BISS)晶体管
• PCF8576C - 低复用率通用LCD驱动器
• PSMN017-30PL - N沟道30 V 17 m?逻辑电平MOSFET，采用TO220封装
• 74LVTN16245BBX - 3.3 V 16位收发器；3态
• BC857QAS - 45 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor
• 74LVC3G06DC - 三路反相器，带开漏输出
• PSMN3R3-60PL - N沟道60 V，3.4 m?逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装