74AUP1G158是单路2输入多路复用器，其在公共数据选择输入(S)的控制下从两个数据输入（I0和I1）选择数据。一般数据选择输入的状态可确定数据来自哪个特定的寄存器。输出(Y)以补充（反相）形式呈现所选数据。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLC8G27LS-100AV - LDMOS功率晶体管
• PZU7.5BA - 单倍齐纳二极管
• CBT3245APW - 八路总线开关
• PCA9541ABS - 带有中断逻辑和复位的二选一I2C总线主选择器
• 74HC1G08GV - 2输入与门
• BCW60C - NPN通用晶体管
• BUK9Y3R5-40E - N沟道40 V，3.8 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• P5CD016U0 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• 74HCT3G16GD - 三路缓冲器门
• PDTA114YT - PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ