74AUP1G125提供带3态输出的单路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(OE)控制。针脚OE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入(OE)为高电平时，输入处于禁用状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保整个0.8 V至3.6 V的CC范围内极低的静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114-F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PEMB9; PUMB9 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PMEG3005AESF - 30 V, 0.5 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• 74AUP1G373GS - 低压D型透明锁存器；3态
• NT2H1311G0DUF - NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成144字节用户存储器
• BC847QAS - 45 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor
• 74HCT238D - 3至8线路解码器/解复用器
• PDTC123JMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74HC2G34GV - 双路缓冲器门
• BUK7Y19-100E - N沟道100 V，19 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• GTL2014PW - 4位LVTTL至GTL收发器