74AUP1G09提供单路2输入与门，具有开漏输出。该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• P5CD012X0 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• P5Cx128 / P5Cx145 family - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• PSMN030-150P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• BLF573 - HF/VHF功率LDMOS晶体管
• PSMN057-200B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• PBSS4160DPN - 60 V，1 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PSMN7R5-60YL - N-channel 60 V, 7.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• 1PSxSB17 - 4 V、30 mA低C_d肖特基势垒二极管
• BUK7Y102-100B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PDTA113E series - PNP配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 1 kOhm