74AUP1G00提供单路2输入与非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK664R8-75C - N沟道TrenchMOS FET
• BLA8G1011LS-300G - Power LDMOS transistor
• 74VHC(T)08 - 四路2输入与门
• CBTU4411EE - 具有12Ω导通电阻的11位DDR2 SDRAM MUX/总线开关
• BLF7G27L-150P - 功率LDMOS晶体管
• PCA9952; PCA9955 - 16通道Fm+ I2C总线57 mA恒流LED驱动器
• PBSS4032ND - 30 V，3.5 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVCH2T45GS - 双电源转换收发器；3态
• PMP5501V - PNP/PNP匹配双晶体管
• 74HC(T)2G00 - 双路2输入与非门