74ALVT162823 18位总线接口寄存器设计用于取消缓冲现有寄存器所需的额外封装，并提供额外数据宽度，用于总线进行奇偶校验的更宽数据/地址路径。

74ALVT162823具有带时钟使能（nCE） 和主复位（nMR） 的两个9位宽缓冲寄存器，它们非常适合用于高微编程系统中的奇偶校验总线连接。

这些寄存器为完全边沿触发。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入状态都会被传输到相应的触发器Q输出。

74ALVT162823设计在上拉和下拉输出结构中使用30 Ω串联电阻。该设计可降低存储器地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发送器等应用中的线路噪声。

• 两组带正沿触发D类触发器的高速并行寄存器
• 可兼容5 V I/O
• 非常适用于要求高速、轻负载或增大扇入的MOS微控制器
• 总线保持数据输入无需用外部上拉电阻来保持闲置输入
• 允许带电插拔
• 上电三态
• 上电复位
• 输出能力：+12 mA到-12 mA
• 输出包括30 Ω的串联电阻，从而无需外部端接电阻
• 锁存保护：
  • JESD78：超过500 mA
• ESD保护：
  • MIL STD 883, method 3015：超过2000 V
  • 机器模型：超过200 V

• PDTB143EU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• BUK96180-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PMZ350UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• PMCM4401VNE - 12V, N-channel Trench MOSFET
• PESD12VS1ULD - 单向ESD保护二极管
• 74HC174D - 带复位功能的六频D型触发器；正沿触发器
• BC847W - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• PBSM5240PFH - 40 V，2 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管，具有N沟道Trench MOSFET
• PDTB1xxxT series - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• 74LVC2G04GX - 双频逆变器