74ALVCH16843具有两个9位D类锁存器，带用于每个锁存器的独立D类输入以及用于总线应用的三态输出。每个寄存器的两个部分由锁存器使能（nLE） 、清除（nCLR）、预置（nPRE）和输出使能（nOE）控制逻辑门独立控制。

nOE为低电平时，寄存器内的数据会出现在输出处。nOE为高电平时，输出处于高阻抗关断状态。nOE输入的操作不会影响触发器的状态。

74ALVCH16843具有有源总线保持电路，可将闲置或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。该功能无需外部上拉或下拉电阻。

• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 符合JEDEC标准no. 8-1A。
• CMOS低功耗
• 直接与TTL电平连接
• 3.0 V时电流驱动能力为±24 mA
• MULTIBYTE直通标准引脚排列架构
• 用于最大程度减少噪声和接地反弹的多个低电感VCC和GND引脚
• 所有数据输入都有总线保持
• 输出驱动能力50 Ω（传输线路的温度为85 °C）

• BAS70-04W - 通用肖特基二极管
• PMZ200UNE - 30 V, N-channel Trench MOSFET
• PEMD12; PUMD12 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BZT52H-B4V7 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74HCT241PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• NZX15X - 单倍齐纳二极管
• BLF6G15LS-500H - 功率LDMOS晶体管
• PHB45NQ10T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BCM847BV - NPN/NPN匹配双晶体管
• PEMH15; PUMH15 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ