74ALVCH16841具有两个10位D类锁存器，带用于每个锁存器的独立D类输入以及用于总线应用的三态输出。每个寄存器的两个部分由锁存器使能（nLE） 和输出使能（nOE）控制逻辑门独立控制。

nOE为低电平时，寄存器内的数据会出现在输出处。nOE为高电平时，输出处于高阻抗关断状态。nOE输入的操作不会影响触发器的状态。74ALVCH16841具有有源总线保持电路，可将闲置或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。该功能无需外部上拉或下拉电阻。

• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 符合JEDEC标准no. 8-1A
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 直接与TTL电平连接
• MULTIBYTE直通标准引脚排列架构
• 用于最大程度减少噪声和接地反弹的多个低电感VCC和GND引脚
• 3.0 V时电流驱动能力为±24 mA
• 所有输入都有总线保持电路
• 输出驱动能力50 Ω（传输线路的温度为85 °C）
• 针对总线应用的三态非反相输出

• 74HCT2G16GW - Dual buffer gate
• BC857xMB series - 45 V，100 mA PNP通用晶体管
• BLS8G2731L(S)-400P - LDMOS S-band radar power transistor
• NT3H1201W0FTT - NTAG I2C - Energy harvesting NFC Forum Type 2 Tag with field detection pin and I2C interface
• BZX84-B30 - 稳压器二极管
• 74LVC1G79GM - 单D型触发器；正沿触发器
• MF1S5031XDUD - MIFARE Classic 1K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• PSMN4R2-60PL - N沟道60 V，3.9 m?逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装
• PZU8.2BL - 单倍齐纳二极管
• PMST5550 - NPN高压晶体管