74ALVC164245是一款高性能、低功耗、低电压的硅栅CMOS器件，优于最高级的CMOS兼容TTL系列。

74ALVC164245是在发送和接收方向都具有非反相3态总线兼容输出的16位（双八进制）双电源转换收发器。该器件设计为在处于混合3 V和5 V电源环境中的3 V和5 V总线之间接合。

该器件可用作两个8位收发器或一个16位收发器。

方向控制输入（1DIR和2DIR）确定数据流的方向。nDIR（高电平有效）使能nAn端口到nBn端口的数据。nDIR（低电平有效）使能nBn端口到nAn端口的数据。输出使能输入（1OE和2OE）为高电平时，禁用nAn端口和nBn端口可通过将这两者置于高阻抗关断状态而实现。针脚nAn、nOE和nDIR以VCC(A)为基准，针脚nBn以VCC(B)为基准。

在挂起模式下，当其中某个电源电压为零时，从非零电源到零电源不会有电流流过。nAn输出必须设置为3态且总线A上的电压必须低于Vdiode（典型值0.7 V）。VCC(B) ≥ VCC(A)（在挂起模式下除外）。

• 可实现与5 V逻辑接合的5 V容压输入/输出
• 宽电源电压范围：
  • 3 V端口(VCC(A))：1.5 V至3.6 V
  • 5 V端口(VCC(B))：1.5 V至5.5 V
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 2.7 V至5.5 V的控制输入电压范围
• 输入可接受高达5.5 V的电压
• VCC(A)或VCC(B) = 0 V时的高阻抗输出
• 符合JEDEC标准JESD8-B/JESD36
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为?40 °C至+85 °C和?40 °C至+125 °C

• BLF882S - 超高频LDMOS功率晶体管
• 74LVT2244PW - 3.3V八位元缓冲器/线路驱动器，具有30 Ohm串联端接电阻（3态）
• PTVS22VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• 74LVT126PW - 3.3 V四路缓冲器；3态
• PESD5V0L1USF - 低电容单向ESD保护二极管
• BUK7626-100B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BZX79-C33 - 稳压器二极管
• PZU5.1B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PMZ350UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• BC53PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors