74AHC273；74AHCT273是高速硅栅CMOS器件并且与低功耗肖特基TTL（LSTTL）引脚兼容。它符合JEDEC标准No. 7-A。

74AHC273；74AHCT273具有带单独D输入和Q输出的八个边沿触发D类触发器。

通用时钟（CP）和主复位（MR）同时输入、加载和复位（清零）所有触发器。

在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入状态都会被传输到相应的触发器输出（Qn）。

通过MR输入上的低电平，所有输出都会被强制为不受时钟或数据输入影响的低电平。

该器件对于仅需要真正输出，并且时钟和主复位常用于所有存储元件的应用非常有用。

• 平衡的传输延迟
• 所有输入具有施密特触发器动作
• 输入接受高于VCC的电压
• 用于MOS微控制器或存储器的理想缓冲器
• 通用时钟和主复位
• 相关的产品版本：
  • 74AHC377；有关时钟使能版本，请参见74AHCT377
  • 74AHC373；有关透明锁存器版本，请参见74AHCT373
  • 74AHC374；有关三态版本，请参见74AHCT374
• 输入电平：
  • 对于74AHC273：CMOS电平
  • 对于74AHCT273：TTL电平
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114E超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM EIA/JESD22-C101C超过1000 V
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40℃至+85℃以及-40℃至+125℃

• BUK7609-75A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BSP43 - 80 V，1 A NPN中等功率晶体管
• 74AUP1Z04GM - 低功耗晶体驱动器，带使能和内部晶体管
• PSMN5R6-100BS - N沟道100 V 5.6 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• BF1118W - 硅RF开关
• PDTC123YMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 10 kΩ
• 74AUP2G16GX - Low-power dual buffer
• BZT52H-C20 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74LVC30AD - 8-input NAND gate
• PDTC123EU - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm