74ABT16245B高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动

74ABT16245B器件是双路八位元收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。控制功能实施可最大限度减少外部定时要求。该器件具有两个可实现轻松级联的输出使能（1OE、2OE）输入和两个可实现直接控制的直接（1DIR、2DIR）输入。

有两个选项，74ABT16245B不具有总线保持特性，74ABTH16245B具有总线保持特性。

• 16位双向总线接口
• 上电3态
• 多个VCC和GND针脚可减少开关噪声
• 3态缓冲器
• 输出能力：+64 mA / -32 mA
• 闭锁保护超过500 mA，符合JEDEC Std 17标准
• 允许带电插拔
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V
• 74ABTH16245B集成了总线保持数据输入，无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入

• BZX79-C16 - 稳压器二极管
• PESD18VF1BL - 超低电容双向ESD保护二极管
• 74AHC(T)595 - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器，带输出锁存器
• BLF7G15LS-200 - 功率LDMOS晶体管
• SL3S1003/1013 - UCODE G2iM和G2iM+
• 74HC4040D - 12级二进制纹波计数器
• PBRN123YT - NPN 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• BZT52H-C3V3 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74HC368D - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• PMPB33XP - 20 V，单P沟道Trench MOSFET