74ABT16245B高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动

74ABT16245B器件是双路八位元收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。控制功能实施可最大限度减少外部定时要求。该器件具有两个可实现轻松级联的输出使能（1OE、2OE）输入和两个可实现直接控制的直接（1DIR、2DIR）输入。

有两个选项，74ABT16245B不具有总线保持特性，74ABTH16245B具有总线保持特性。

• 16位双向总线接口
• 上电3态
• 多个VCC和GND针脚可减少开关噪声
• 3态缓冲器
• 输出能力：+64 mA / -32 mA
• 闭锁保护超过500 mA，符合JEDEC Std 17标准
• 允许带电插拔
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V
• 74ABTH16245B集成了总线保持数据输入，无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入

• PSMN3R3-80PS - N沟道80 V，3.3 m?标准电平MOSFET，采用TO-220封装
• 74AUP1G86GM - 低功耗2输入异或门
• 74AHC123AD - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• BSR12 - PNP开关晶体管
• BUK7K52-60E - 双N沟道60 V，45 m?标准电平MOSFET
• PCA9512AD - 电平切换可热插拔的I2C总线和SMBus总线缓冲器
• 74AUP3G3404GF - 低功耗双路缓冲器和单路反相器
• 74AUP1G240GM - 低功耗反相缓冲器/线路驱动器；3态
• BZX84J-B75 - 单倍齐纳二极管
• PBSS9110D - 100 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管